用于 EUV 光刻机光学元件原子级制造的团簇离子抛光技术

本申请公开了一种晶圆抛光系统、晶圆抛光方法以及晶圆抛光控制系统，晶圆抛光系统包括：晶圆抛光装置、回收装置；晶圆抛光装置包括：抛光盘组件、至少三个抛光头以及与抛光头一一对应的供液组件，抛光头用于在抛光盘组件上对晶圆进行抛光，供液组件用于为抛光头供给抛光液；抛光盘组件还包括设置在中心的回液孔，用于与回收装置连通；回收装置包括：过滤器，用于对回收的抛光液进行过滤；调制桶，用于对过滤后的抛光液进行调制，以再次将抛光液传输至供液组件。本申请提供的方案，可以减少抛光盘组件中心积累的抛光液，提高抛光精度，并节省了抛光液成本。

本申请实施例公开了一种抛光压力控制方法、装置、电子设备及晶圆抛光系统，方法包括：确定每个抛光区域的压力响应系数，其中，压力响应系数根据已抛光晶圆中每相邻的两个抛光区域的去除速率形貌得到，用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系，根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，基于待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，抛光待抛光晶圆。借由本申请的技术方案，可提高晶圆抛光压力的控制精度，改善抛光区域间耦合效应所导致的抛光压力控制不准的问题。

本发明公开了一种化学机械抛光控制方法及控制系统，所述化学机械抛光控制方法包括：使用具有多个压力腔室的承载头抛光晶圆，所述压力腔室将晶圆表面对应划分为多个分区，控制所述压力腔室的抛光参数以调节晶圆各个分区的形貌；所述分区设定有多个采集点，加权处理所述分区中采集点的测量值，根据加权处理的测量值计算晶圆的实测形貌；比对晶圆的实测形貌与目标形貌的差异，优化所述压力腔室对应的抛光参数。