抛光压力控制方法、装置、电子设备、晶圆抛光系统

查看全文
202311781991复制
CN202311781991.7复制
集成电路
摘要
本申请实施例公开了一种抛光压力控制方法、装置、电子设备及晶圆抛光系统,方法包括:确定每个抛光区域的压力响应系数,其中,压力响应系数根据已抛光晶圆中每相邻的两个抛光区域的去除速率形貌得到,用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系,根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌,得到待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值,基于待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值,抛光待抛光晶圆。借由本申请的技术方案,可提高晶圆抛光压力的控制精度,改善抛光区域间耦合效应所导致的抛光压力控制不准的问题。
申请人
华海清科(北京)科技有限公司华海清科股份有限公司
第一发明人
赵德文
著录信息
20231222
20240227
申请日
首次公开日
授权(公告日)
维持时间:年
预估到期:
申请号
202311781991
申请日
20231222
公开(公告)号
CN117601013A@FMGK20240227
当前申请(专利权)人
华海清科(北京)科技有限公司
公开(公告)日
20240227
原始申请(专利权)人
华海清科(北京)科技有限公司华海清科股份有限公司
原始申请(专利权)人地址
100000 北京市大兴区经济技术开发区地盛北街1号院40号楼11层1107室
发明(设计)人
赵德文、温世乾、吴英明、田芳馨、路新春
代理人
代理机构
IPC分类号
B24B37/10
B24B37/04
B24B37/30
B24B37/34
B24B37/005