面向芯片封装的等离子体批量清洗装备

本发明公开一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备，属于等离子体刻蚀技术领域。以解决目前在利用等离子体对待刻蚀物进行刻蚀时，无法根据具体的刻蚀需求改变直流自偏置电压的大小，进而无法提高对待刻蚀物的刻蚀效果的技术问题。等离子体处理腔室包括：腔室壁、设置在腔室壁内表面的正电极，设置在正电极内表面且与正电极绝缘的静电电极，位于等离子体处理腔室内的负电极，以及与静电电极电连接的电源部。其中，负电极上放置有待刻蚀物；电源部用于根据控制信号向静电电极施加不同的电压，以改变正电极上累积的电子量。

本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间，并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。该半导体处理系统包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、真空传输腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料，控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前，控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，在晶圆离开处理腔室之后，控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。

本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用以提高晶圆边缘的平整度，进而提高晶圆产品的质量。该半导体处理系统包括：控制器，与所述控制器通信的旋转设备及至少一个激光设备；所述旋转设备用于承载所述晶圆；所述控制器用于控制所述旋转设备带动所述晶圆旋转，还用于在所述旋转设备带动所述晶圆旋转的过程中，控制所述激光设备对所述晶圆边缘区域的副产物进行刻蚀处理。