1.一种等离子体处理腔室，其特征在于，应用于等离子体刻蚀工艺中，所述等离子体处理腔室包括：腔室壁、设置在所述腔室壁内表面的正电极，设置在所述正电极内表面且与所述正电极绝缘设置的静电电极，位于所述等离子体处理腔室内的负电极，以及与所述静电电极电连接的电源部；其中，所述负电极上放置有待刻蚀物；所述电源部用于根据控制信号向所述静电电极施加不同的电压，以改变所述正电极上累积的电子量和壁鞘层的厚度，进而改变所述正电极的面积。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述等离子体处理腔还包括形成在所述正电极与所述静电电极之间的第一陶瓷材料层，以及形成在所述静电电极朝向所述负电极一侧表面的第二陶瓷材料层。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述第一陶瓷材料层和所述第二陶瓷材料层的材质包括：氧化铝、氧化钇、氟氧化钇或氟化钇。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述第一陶瓷材料层的厚度大于或等于200μm，小于或等于500μm；和/或，所述第二陶瓷材料层的厚度大于或等于200μm，小于或等于500μm。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述正电极以能够分离的方式设置在所述腔室壁的内表面；所述静电电极以能够分离的方式设置在所述正电极的内表面。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述腔室壁的材质与所述正电极的材质相同，所述腔室壁与所述正电极之间形成有绝缘层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述电源部包括信号控制器、电压控制器和直流电源；所述信号控制器用于生成控制信号，并将所述控制信号发送给电压控制器，所述电压控制器根据所述控制信号控制所述直流电源的输出电压，所述直流电源向所述静电电极提供所述输出电压。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述等离子体处理腔室还包括电流传感器，所述电流传感器串联在所述直流电源和所述静电电极之间，用于检测所述直流电源与所述静电电极之间的电流值，并将所述电流值发送给所述电压控制器。
9.根据权利要求7所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述静电电极通过直流连接头与所述直流电源相连接；所述腔室壁和所述正电极上开设有通孔，所述通孔用于通过所述直流连接头。
10.一种半导体制造设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的等离子体处理腔室。
