一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备

本发明公开一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备，属于等离子体刻蚀技术领域。以解决目前在利用等离子体对待刻蚀物进行刻蚀时，无法根据具体的刻蚀需求改变直流自偏置电压的大小，进而无法提高对待刻蚀物的刻蚀效果的技术问题。等离子体处理腔室包括：腔室壁、设置在腔室壁内表面的正电极，设置在正电极内表面且与正电极绝缘的静电电极，位于等离子体处理腔室内的负电极，以及与静电电极电连接的电源部。其中，负电极上放置有待刻蚀物；电源部用于根据控制信号向静电电极施加不同的电压，以改变正电极上累积的电子量。

郑宇现