一种半导体处理系统

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集成电路
摘要
本发明公开一种半导体处理系统,涉及半导体加工技术领域,用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间,并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。该半导体处理系统包括:控制器及与控制器通信的处理腔室、真空传输腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料,控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前,控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁,在晶圆离开处理腔室之后,控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。
申请人
中国科学院微电子研究所真芯(杭州)半导体有限责任公司
第一发明人
李焕珪
著录信息
20210311
20220920
申请日
首次公开日
授权(公告日)
维持时间:年
预估到期:
申请号
202110267663
申请日
20210311
公开(公告)号
CN115083943A@FMGK20220920
当前申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
公开(公告)日
20220920
原始申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所真芯(杭州)半导体有限责任公司
原始申请(专利权)人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明(设计)人
李焕珪、金宗范、李俊杰、李琳、王佳、周娜
代理人
王胜利
代理机构
北京知迪知识产权代理有限公司
IPC分类号
H01L21/67