1. 一种晶圆制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对待加工的晶圆的背面分步进行多次磨削减薄，每一步磨削均仅对晶圆的中间部分进行磨削，不对晶圆的边缘部分进行磨削，其中后一步的磨削加工去除部分的径向尺寸小于前一步磨削加工去除部分的径向尺寸，后一步的留边尺寸大于前一步的留边尺寸，从而在晶圆的边缘部分形成多级台阶，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度y n 小于或等于晶圆最终厚度h的0.05倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤y n /h≤0.05。
2.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度y n 大于或等于1微米。
3.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，每一步的减薄厚度y 1 至y n 相同或不同。
4.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，每一步所述磨削加工中，留边尺寸均大于设备的对心精度。
5.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，在每次磨削前均调节加工工艺参数，所述加工工艺参数包括磨轮目数、磨轮转速、晶圆转速、磨轮的进给速度、留边尺寸。
6.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在每一步磨削加工后，对所述台阶和所述晶圆的过渡部分进行倒角，然后再进行下一步磨削加工的工序。
7.一种晶圆，其特征在于，该晶圆包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于形成芯片图案，所述第二表面与所述第一表面相背，所述第二表面通过减薄处理而在中心区域形成凹陷部，在所述晶圆的边缘部分形成相对于所述凹陷部凸起的留边，所述留边环绕所述凹陷部，所述留边形成为从中心区域向外逐级加厚的台阶状，所述留边具有至少两级台阶，所述晶圆在所述中心区域具有晶圆最终厚度h，所述留边的邻接所述中心区域的台阶的厚度y n 小于或等于所述晶圆最终厚度h的0.05倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤y n /h≤0.05。
