1.一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，该原位测量装置包括一反应室、一基底、一第一电极、一连接线、一第二电极、一支撑结构、一测量表和若干导线；所述基底、第一电极、连接线、第二电极和支撑结构均设置于所述反应室的内部；所述测量表位于反应室的外部，且该测量表通过导线与所述第一电极和第二电极电连接；所述第一电极具有一空腔；所述支撑结构、第二电极和连接线相互配合，使基底悬空于所述空腔内；所述基底包括一用于生长碳纳米管的生长基底；所述第二电极的一端与所述支撑结构连接，另一端与所述连接线连接；所述生长基底在生长碳纳米管的温度下导电；所述连接线的一端与所述第二电极电连接，另一端与所述生长基底电连接；所述支撑结构不导电。
2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述第二电极具有相对的第一端和第二端，该第二端具有一第一凹槽，所述支撑结构的一端具有一第二凹槽；所述第二电极的第一端插入该第二凹槽，所述连接线的一端插入该第一凹槽；所述基底具有一孔，所述连接线的另一端插入该孔内，从而使基底悬空于所述空腔内。
3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述生长基底包括多个首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管。
4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述连接线包括一支撑部和一导电线，该支撑部用于支撑所述导电线，所述导电线的一端与所述第二电极连接，另一端与所述生长基底连接。
5.如权利要求4所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述支撑部为一石英管，所述导电线设置于该石英管内，且该导电线的两端均从该石英管内穿出，所述第一电极是由石墨形成的中空圆柱体。
6.如权利要求4所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述导电线和导线为碳纳米管线结构，该碳纳米管线结构由多个碳纳米管线平行排列组成束状结构，或者由多个碳纳米管线相互扭转组成绞线结构。
7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述第一电极由两个相对且间隔设置的第一导电板和第二导电板组成，且该第一导电板的一端通过导线与第二导电板的一端连接起来，所述第一导电板、第二导电板和导线组成所述空腔。
8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述连接线包括一支撑部和一导电线，该支撑部为一石英管，所述导电线设置于该石英管内，且该导电线的两端均从该石英管内穿出来；所述支撑部靠近第一电极的部分为一环形，所述基底放置于该环形上，并且该基底用于生长碳纳米管。
9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，所述第二电极的材料为石墨、碳纤维、碳纳米管、石墨烯或其组合，所述支撑结构的材料为碳、硅或二氧化硅。
10.一种碳纳米管电学特性的原位测量方法，包括以下步骤：将一第一电极放置在一反应室内，该第一电极具有一空腔；将一生长基底悬空设置在所述空腔内，且所述生长基底表面设置有一催化剂层，所述生长基底在碳纳米管的生长温度下导电；提供一测量表，该测量表分别与所述第一电极和所述生长基底电连接；向所述空腔内通入碳源气体和氢气，加热所述反应室，在所述生长基底上生长所述碳纳米管；以及从所述测量表上得到所述碳纳米管的电学特性。
11.如权利要求10所述的碳纳米管电学特性的原位测量方法，其特征在于，所述第一电极为中空圆柱体。
12.如权利要求10所述的碳纳米管电学特性的原位测量方法，其特征在于，所述生长基底包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管相互缠绕。
