1.一种纳米器件的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底；在所述第一基底表面沉积一金属膜，并对所述金属膜进行退火处理，所述金属膜在该第一基底的表面形成多个金属海岛结构；在形成有所述金属海岛结构的所述第一基底的表面铺设金属纳米球，所述第一基底、所述金属海岛结构以及所述金属纳米球形成一复合结构，将所述复合结构铺设有所述金属纳米球的表面定义为第一表面，并烘烤所述复合结构；在所述复合结构的第一表面形成一光刻胶层；提供一第二基底，在所述第二基底表面形成一脱模剂层；及在惰性气氛或真空环境下，将所述复合结构表面的光刻胶层和所述第二基底表面的脱模剂层压合在一起，分阶段对所述复合结构和所述第二基底进行加热，并在各个阶段对所述第一基底和所述第二基底施加电压，在所述第一基底的表面形成分形纳米结构，制备纳米器件。
2.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，所述分阶段对所述复合结构和所述第二基底进行加热，并在各个阶段对所述第一基底和所述第二基底施加电压，具体包括三个阶段：第一阶段，将温度升至90摄氏度～140摄氏度，将电压设为200伏～600伏，保温5分钟～20分钟；第二阶段，将温度升至160摄氏度～200摄氏度，将电压设为1200伏～2000伏，保温10分钟～40分钟；及第三阶段，将温度升至210摄氏度～250摄氏度，将电压设为200伏～800伏，保温10分钟～40分钟。
3.如权利要求2所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，所述第一阶段，将温度升至105摄氏度，将电压设为400伏，保温7分钟；所述第二阶段，将温度升至185摄氏度，将电压设为1400伏，保温20分钟；所述第三阶段，将温度升至210摄氏度，将电压设为500伏，保温30分钟。
4.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，该多个金属海岛结构彼此间隔分散在所述第一基底的表面，且彼此形成间隙。
5.如权利要求4所述的纳米器件的制备方法，在形成有所述金属海岛结构的所述第一基底的表面铺设所述金属纳米球后，所述金属纳米球分布在所述金属海岛结构的表面或所述金属海岛结构的间隙中，当所述间隙的尺寸大于所述金属纳米球的尺寸时，所述金属纳米球直接分布在所述第一基底的表面。
6.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，所述第一基底的表面粗糙度小于1纳米。
7.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，所述金属膜的厚度为1纳米～50纳米。
8.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，对所述金属膜进行退火处理具体包括：在惰性气氛或真空环境下，将所述金属膜加热至140摄氏度～240摄氏度之间并保温5分钟～90分钟，之后冷却至室温。
9.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，所述金属纳米球的直径为2纳米～100纳米。
10.如权利要求1所述的纳米器件的制备方法，其特征在于，在烘烤所述复合结构过程中，所述烘烤温度为140摄氏度～240摄氏度，所述烘烤时间为0.5分钟～1分钟。
