光强分布的检测系统

1.一种光强分布的检测系统，包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列设置于生长基底，所述碳纳米管阵列用于吸收一待测光源所发出的光并辐射出可见光；一反射镜，所述反射镜与碳纳米管阵列间隔设置，所述反射镜用于反射碳纳米管阵列所辐射的可见光；一成像元件，所述成像元件用于对反射镜所反射的可见光成像；以及一冷却装置，所述冷却装置设置在所述生长基底与所述成像元件之间，且所述成像元件与所述冷却装置间隔设置，所述冷却装置用于冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温。 2.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述冷却装置与远离所述碳纳米管阵列的所述生长基底的表面接触设置。 3.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，在所述待测光源光照射方向上，所述冷却装置的横截面积与所述生长基底的横截面积相同。 4.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述冷却装置为一盛放冷却介质的装置，所述冷却介质为冷却液或冷却气体。 5.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述光强分布的检测系统进一步包括多个温度传感器，该多个温度传感器设置在所述冷却装置与所述生长基底之间，所述冷却装置装置包括多个冷却单元。 6.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述冷却装置为一数字温度控制装置。 7.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管相互平行。 8.如权利要求7所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与基底的表面之间的角度为大于等于10度且小于等于90度。 9.如权利要求1所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述碳纳米管阵列具有一远离所述生长基底的第一表面以及一与该第一表面相对设置且与所述生长基底接触的第二表面，所述检测系统使用时，采用所述待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，该碳纳米管阵列辐射出可见光，该可见光被所述反射镜反射至所述成像元件，所述成像元件接收该可见光，并读出待测光源的光强分布。 10.如权利要求9所述的光强分布的检测系统，其特征在于，所述反射镜的焦点落在碳纳米管阵列的第一表面的中心位置。