1.一种薄膜晶体管，其包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层设置于所述基底上且将所述栅极覆盖；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述电介质层远离所述基底的一侧，且分别与所述半导体层电连接；其特征在于，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触；所述薄膜晶体管为P性时迟滞曲线表现为顺时针，所述薄膜晶体管为N性时迟滞曲线表现为逆时针。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物为金属氧化物。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物为Al 2 O 3 。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物为SiO 2 。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电介质层的厚度为10纳米～1000纳米。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述纳米半导体材料为石墨烯、碳纳米管、MoS 2 、WS 2 、MnO 2 、ZnO、MoSe 2 、MoTe 2 、TaSe 2 、NiTe 2 或Bi 2 Te 3 。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为1～5层纳米半导体材料。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基底的材料为二氧化硅、玻璃、聚合物、陶瓷或石英。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，该方法包括：提供一基底；在所述基底表面沉积一栅极；在所述基底表面采用磁控溅射法制备一氧化物层作为电介质层，且所述氧化物层将所述栅极覆盖且与所述栅极直接接触；在所述电介质层表面制备一半导体层，所述半导体层包括多个纳米材料；在所述电介质层表面制备源极和漏极，且所述源极和漏极与所述半导体层电连接；所述薄膜晶体管为P性时迟滞曲线表现为顺时针，所述薄膜晶体管为N性时迟滞曲线表现为逆时针。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射前的真空度为小于10 -5 Pa，溅射的功率为150瓦～200瓦，溅射时的压强为0.2帕～1帕。
