1.一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层，所述复合层包括一碳纳米管层和一遮盖层，所述遮盖层直接附着于所述碳纳米管层的表面；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影处理。
2.如权利要求1所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面时，所述复合层与所述光刻胶层远离第一基板的表面接触设置。
3.如权利要求1所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面时，所述第二基板与所述光刻胶层远离第一基板的表面接触设置。
4.如权利要求1所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述第二基板对于紫外光的透过率大于60％。
5.如权利要求1所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述光刻掩模板包括至少两个第二基板和分别设置于第二基板的表面上的复合层。
6.如权利要求1所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层直接设置于所述第二基板的表面上，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管层远离所述第二基板的表面上。
7.如权利要求6所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层为多个碳纳米管通过范德华力结合形成的自支撑结构。
8.如权利要求6所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中的碳纳米管平行于所述碳纳米管膜的表面且沿同一方向延伸，在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，所述碳纳米管膜中至少部分碳纳米管平行且间隔设置。
9.一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板表面的一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管平行于所述碳纳米管膜的表面，所述碳纳米管膜中至少部分碳纳米管平行且间隔设置；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述光刻掩模板入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影处理。
10.如权利要求9所述的微纳米结构的制备方法，其特征在于，所述光刻掩模板进一步包括一第三基板，该第三基板设置于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，使得该碳纳米管层夹在该第二基板与第三基板之间。
