1.一种用于识别特定波长的传感器，其包括：一光波长分析器，用于接收入射的光线信号，所述光线信号为非偏振光，对该光线信号进行分析处理，并根据处理结果发送工作指令；一存储器，用于存储光线信号数据，以提供初始信号数据作为标准数据；以及一调制器，用于向存储器中写入标准数据；其特征在于，所述光波长分析器包括一光波长检测器和一信号处理模组，该光波长检测器包括一探测元件，一测量装置；所述探测元件包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，所述光线信号入射至该碳纳米管层的部分表面，所述测量装置用于测量所述碳纳米管层的电势差或温度差；所述信号处理模组与光波长检测器电连接，用于对该测量装置的测量值进行分析计算，并将计算得到的信号数据与存储器中初始信号数据作对比，并根据对比结果发送工作指令，进一步包括一预处理器，用于将入射至光波长分析器前的光线信号起偏为偏振光，所述预处理器与所述碳纳米管层分别在两个相互平行的平面内相对旋转，以调节偏振光的方向与碳纳米管的延伸方向的夹角角度。
2.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述预处理器为偏振片，或偏振片与滤波片、分光镜的组合。
3.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，进一步包括一接收器，用于收集需入射至光波长分析器的光线信号。
4.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述探测元件为悬空设置。
5.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，该碳纳米管层由多个碳纳米管组成，在所述延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。
6.如权利要求5所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述光线信号入射至碳纳米管层在碳纳米管延伸方向上的一端部表面，所述测量装置用于测量碳纳米管层所述端部表面与远离该端部的另一端部表面所产生的温度差或电势差。
7.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，该碳纳米管层包括一P型半导体碳纳米管层和一N型半导体碳纳米管层设置形成一P-N结，所述P型半导体碳纳米管层与N型半导体碳纳米管层层叠设置或并排设置。
8.如权利要求7所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述光线信号入射至所述碳纳米管层的P-N结，所述测量装置用于测量碳纳米管层远离P-N结两端部的电势差。
9.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述测量装置为电压测量装置或热电偶装置。
10.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述信号处理模组用于将碳纳米管层的电势差或温度差计算转换为入射至碳纳米管结构的光线波长值。
11.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，所述光波长检测器进一步包括一第一电极和一第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述碳纳米管层电连接。
12.如权利要求1所述的用于识别特定波长的传感器，其特征在于，进一步包括一工作器件，用于接收来自光波长分析器的工作指令，并根据工作指令执行相应动作。
13.一种用于识别特定波长的传感器，其包括：一光波长分析器，用于接收入射的光线信号，所述光线信号为偏振光，对该光线信号进行分析处理，并根据处理结果发送工作指令；一存储器，用于存储光线信号数据，以提供初始信号数据作为标准数据；以及一调制器，用于向存储器中写入标准数据；其特征在于，所述光波长分析器包括一光波长检测器和一信号处理模组，该光波长检测器包括一探测元件，一测量装置；所述探测元件包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，所述光线信号入射至该碳纳米管层的部分表面，所述探测元件为一旋转结构，以调节偏振光的方向与碳纳米管的延伸方向的夹角角度，所述测量装置用于测量所述碳纳米管层的电势差或温度差；所述信号处理模组与光波长检测器电连接，用于对该测量装置的测量值进行分析计算，并将计算得到的信号数据与存储器中初始信号数据作对比，并根据对比结果发送工作指令。
