1.一种光识别开关装置，其包括：一光线发射器，用于发射光线；一光波长识别器，用于识别所述光线发射器发射的光线，作出对比判断，并根据对比结果发出工作指令；以及一开关单元，根据所述光波长识别器作出的工作指令执行打开或闭合动作；其特征在于，所述光波长识别器包括一光波长分析器，一调制器，一存储器；该光波长分析器用于对接收到的光线信号分析处理，并发送工作指令至开关单元，所述存储器用于存储光线信号数据，所述调制器用于向存储器中写入标准数据；所述光波长分析器包括至少一光波长检测器和一信号处理模组，所述光波长检测器包括一探测元件以及一测量装置；所述探测元件包括一碳纳米管层结构，该碳纳米管层结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，所述光线信号入射至该碳纳米管层结构的部分表面，所述测量装置用于测量所述碳纳米管层结构的电势差或温度差；所述信号处理模组与光波长检测器电连接，用于对该测量装置的测量值进行分析计算，再将计算得到的信号数据与所述存储器中初始信号数据进行对比，再根据对比结果发送工作指令至所述开关单元，所述光波长识别器进一步包括一预处理器，用于将入射至光波长分析器前的光线信号起偏为偏振光，所述预处理器与所述碳纳米管结构分别在两个相互平行的平面内相对旋转，以调节偏振光的方向与碳纳米管的延伸方向的夹角角度。
2.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述预处理器为偏振片，或偏振片与滤波片、分光镜的组合。
3.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述光波长识别器进一步包括一接收器，用于收集需入射至光波长分析器的光线信号。
4.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述探测元件为悬空设置。
5.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述探测元件为一碳纳米管层，该碳纳米管层由多个碳纳米管组成，在所述延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。
6.如权利要求5所述的光识别开关装置，其特征在于，所述光线信号入射至碳纳米管层在碳纳米管延伸方向上的一端部表面，所述测量装置用于测量碳纳米管层所述端部表面与远离该端部的另一端部表面所产生的温度差或电势差。
7.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述探测元件为一碳纳米管层，该碳纳米管层包括一P型半导体碳纳米管层和一N型半导体碳纳米管层设置形成一P-N结，所述P型半导体碳纳米管层与N型半导体碳纳米管层层叠设置或并排设置。
8.如权利要求7所述的光识别开关装置，其特征在于，所述光线信号入射至所述碳纳米管层的P-N结，所述测量装置用于测量碳纳米管层远离P-N结两端部的电势差。
9.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述测量装置为电压测量装置或热电偶装置。
10.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述信号处理模组用于将碳纳米管层结构的电势差或温度差计算转换为入射至碳纳米管层结构的光线波长值。
11.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述光波长检测器进一步包括一第一电极和一第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述碳纳米管结构电连接。
12.如权利要求1所述的光识别开关装置，其特征在于，所述光波长分析器包括多个光波长检测器，所述多个光波长检测器分别独立检测光线波长，且每个光波长检测器分别对应存储器中的一个初始信号数据。
