薄膜晶体管阵列的制备方法

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板，在所述绝缘基板的表面设置一栅极；在所述栅极的表面设置一连续的绝缘层；在所述绝缘层的表面设置一碳纳米管层；对所述碳纳米管层进行图案化，以得到多个源极以及多个漏极；以及，提供一含有多个半导体膜碎片的悬浮液，将所述含有多个半导体膜碎片的悬浮液涂覆于所述绝缘层的表面形成包括多个半导体膜碎片的半导体层，相邻的源极和漏极之间存在至少一半导体膜碎片，该至少一半导体膜碎片覆盖部分的该相邻的源极和漏极。