相变存储器

本发明提供一种相变存储器，其包括：多个相变存储单元设置成行列式阵列，每一相变存储单元包括至少一碳纳米管线，所述碳纳米管线具有一弯折部；一相变层，所述相变层与所述碳纳米管线的弯折部至少部分层叠设置；设置在每一行的多个相变存储单元中的碳纳米管线的分别与一第一行电极引线及一第一列电极引线电连接，所述相变层与一第二行电极引线电连接，通过在所述第一行电极引线及第一列电极引线之间通入电流的方式加热所述相变层实现数据写入，通过在第一行电极引线及第二行电极引线之间输入电流的方式实现数据读取。