纳米级微结构的制备方法

本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底的一表面形成一导电层，所述导电层包括一石墨烯膜；在所述导电层上形成一掩模预制层；采用电子束曝光对所述掩模预制层进行图案化处理，形成一图形化的掩模层，所述图形化的掩模层包括多个凹部和多个凸部，位于凹部位置处的所述导电层暴露出来；通过干法刻蚀去除位于所述多个凹部位置处的所述导电层，暴露出所述绝缘基底的部分表面；形成一预制层至少覆盖所述暴露出来的绝缘基底表面；以及，去除所述掩模层以及所述导电层，在所述绝缘基底的表面形成纳米级微结构。