发光二极管的制备方法

本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面设置一掩模层，其形成有多个沿同一方向延伸的凹槽及多个条形凸起结构；刻蚀所述基底，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述外延生长面形成一M形三维纳米结构阵列；在所述三维纳米结构阵列表面依次生长一第一半导体层、一活性层及第二半导体层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。