失效

硅纳米结构的制备方法

孙海林、姜开利、李群庆、范守善
清华大学
孙海林机构 暂无
技术领域 暂无
姜开利机构 暂无
技术领域 暂无
李群庆机构 暂无
技术领域 暂无
范守善机构 暂无
技术领域 暂无

摘要

一种硅纳米结构的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一生长装置,且该生长装置包括一加热炉以及一反应室;提供一生长基底,并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内;向反应室通入流量比10∶1~1∶10的硅源气体与氢气,并加热至500~1100℃,生长硅纳米结构。