发光二极管

本发明涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括一基底；一反射层设置于上述基底上；一第一半导体层设置于上述反射层上；一第二半导体层设置于上述第一半导体层上；一活性层设置于上述第一半导体层与第二半导体层之间；一透明电极设置于上述第二半导体层上，该透明电极包括一上表面及一下表面，该透明电极的下表面与第二半导体层接触；一第一衍射光栅结构设置于上述透明电极的上表面。该发光二极管进一步包括一第二衍射光栅结构，该第二衍射光栅结构设置于上述第一半导体层与反射层之间。该发光二极管将因全反射而限制于其内的光线重新射出，从而提高了该发光二极管的提取效率。